В данном разделе представлены разработки, использующиеся в научно-исследовательских программах анализа высоковольтных полупроводниковых приборов.

С помощью представленных установок проводились исследования нелинейности обратносмещенных p-n переходов высоковольтных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов и т.д), свойства шумов и свойства микроплазменного пробоя высоковольтных pn-переходов.

В следующих разделах внимание сконцентрировано на техническом обеспечении оборудования для проведения исследований.